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IXKH 70N60C5
0.16
0.12
320
T JV = 150°C
V DS = 5 V
5.5 V
I D = 44 A
V GS = 10 V
280
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
25 °C
6V
6.5 V
0.1
0.12
7V
240
0.08
200
20 V
0.08
0.06
98 %
160
150 °C
0.04
0.04
typ
120
80
T J =
0.02
40
0
0
0
0
20
40
60
80
100
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state
resistance characteristics of IGBT
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
3
12
10
5
I D = 11 A pulsed
V GS = 0 V
f = 1 MHz
10
10
4
Ciss
V DS = 50 V
10
2
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98%
8
1 20 V
40 0V
10
3
Coss
6
25 °C, 98%
10
2
10
1
4
2
10
1
Crss
10
0
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
50
100
150
0
50
100
150
200
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
2000
1500
I D = 11 A
700
660
I D = 0.25 mA
10
0
0.5
10
-1
0.2
D = t p /T
1000
500
620
580
10
-2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
0
540
10
-3
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
t p [s]
Fig. 12 Max. transient thermal
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
impedance
20090209d
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